MJD50T4G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MJD50T4G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 400V 1A
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
необходима
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85414010
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 1AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1ACurrent - Collector Cutoff (Max): 200µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10VPower - Max: 1.56WFrequency - Transition: 10MHzOperating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Supplier Device Package: DPAK
Наличие и цены на MJD50T4G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 17:33 | парт-номерMJD50T4G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 14 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!