MJB44H11G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MJB44H11G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 10AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8ACurrent - Collector Cutoff (Max): 10µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1VPower - Max: 2WFrequency - Transition: 50MHzOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSupplier Device Package: D2PAK
Наличие и цены на MJB44H11G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 15:28 | парт-номерMJB44H11G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!