MJ802G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MJ802G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TrayTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 30AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5ACurrent - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2VPower - Max: 200WFrequency - Transition: 2MHzOperating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-204AA, TO-3Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Наличие и цены на MJ802G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 22:25 | парт-номерMJ802G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!