MJ11033G
- Производитель
-
Тип
Транзистор
-
Полное наименование
MJ11033G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
-
Техническая документация
Datasheet 1
Datasheet 2
Datasheet 3
Datasheet 4
Datasheet 5
Datasheet 6
-
Описание
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3 Lead Free
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
необходима
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85414010
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TrayTransistor Type: PNP - DarlingtonCurrent - Collector (Ic) (Max): 50AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50ACurrent - Collector Cutoff (Max): 2mADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5VPower - Max: 300WOperating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-204AESupplier Device Package: TO-3
Наличие и цены на MJ11033G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 18:34 | парт-номерMJ11033G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!