MJ11032
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MJ11032
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3 Contains lead
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: TrayTransistor Type: NPN - DarlingtonCurrent - Collector (Ic) (Max): 50AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50ACurrent - Collector Cutoff (Max): 2mADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5VPower - Max: 300WOperating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-204AESupplier Device Package: TO-3
Наличие и цены на MJ11032 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 15:25 | парт-номерMJ11032 | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!