MBT35200MT1G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MBT35200MT1G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 2AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2ACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5VPower - Max: 625mWFrequency - Transition: 100MHzOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SOT-23-6Supplier Device Package: 6-TSOP
Наличие и цены на MBT35200MT1G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 22:32 | парт-номерMBT35200MT1G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!