KSD1273Q
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
KSD1273Q
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 3AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2ACurrent - Collector Cutoff (Max): 100µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4VPower - Max: 2WFrequency - Transition: 30MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-220-3 Full PackSupplier Device Package: TO-220F
Наличие и цены на KSD1273Q на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 22:26 | парт-номерKSD1273Q | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!