KSC5026MOS
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
KSC5026MOS
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: BulkTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 1.5AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mACurrent - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5VPower - Max: 20WFrequency - Transition: 15MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-225AA, TO-126-3Supplier Device Package: TO-126-3
Наличие и цены на KSC5026MOS на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 18:18 | парт-номерKSC5026MOS | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!