KSB772YSTU
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
KSB772YSTU
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeTransistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 3AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2ACurrent - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2VPower - Max: 1WFrequency - Transition: 80MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-225AA, TO-126-3Supplier Device Package: TO-126-3
Наличие и цены на KSB772YSTU на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 22:25 | парт-номерKSB772YSTU | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!