J112G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
J112G
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
JFET N-CH 35V 350MW TO92
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkFET Type: N-ChannelVoltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35VCurrent - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15VVoltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1V @ 1µAResistance - RDS(On): 50 OhmsPower - Max: 350mWOperating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Supplier Device Package: TO-92-3
Наличие и цены на J112G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 18:28 | парт-номерJ112G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!