HGTG5N120BND
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
HGTG5N120BND
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: Not For New DesignsPackaging: TubeIGBT Type: NPTVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 21ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 40AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5APower - Max: 167WSwitching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 53nCTd (on/off) @ 25°C: 22ns/160nsTest Condition: 960V, 5A, 25 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr): 65nsOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247
Наличие и цены на HGTG5N120BND на стоках в России, США, Европы и Азии
Если вы когда-либо уже обращались в Т-Компонент, но не проходили регистрацию на сайте или потеряли данные для входа на сайт, вы можете воспользоваться входом по ИНН вашей компании и мы пришлём вам на почту ссылку для входа на сайт.
Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 13.08.2025 15:58 для просмотра необходимо авторизоваться | парт-номерxxxxxxxxxxxx | брендON Semiconductor | доступноx шт. под заказ мин: 450 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!