HGTG30N60C3D
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
HGTG30N60C3D
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: Not For New DesignsPackaging: TubeVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600VCurrent - Collector (Ic) (Max): 63ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 252AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30APower - Max: 208WSwitching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 162nCReverse Recovery Time (trr): 60nsOperating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247
Наличие и цены на HGTG30N60C3D на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 23:00 | парт-номерHGTG30N60C3D | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!