HGTG18N120BND
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
HGTG18N120BND
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeIGBT Type: NPTVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 54ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 160AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18APower - Max: 390WSwitching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 165nCTd (on/off) @ 25°C: 23ns/170nsTest Condition: 960V, 18A, 3 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr): 75nsOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247
Наличие и цены на HGTG18N120BND на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 19:42 | парт-номерHGTG18N120BND | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!