HGTG10N120BND
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
HGTG10N120BND
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: Not For New DesignsPackaging: TubeIGBT Type: NPTVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 35ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 80AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10APower - Max: 298WSwitching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 100nCTd (on/off) @ 25°C: 23ns/165nsTest Condition: 960V, 10A, 10 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr): 70nsOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247
Наличие и цены на HGTG10N120BND на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 19:42 | парт-номерHGTG10N120BND | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 2 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!