HGTD1N120BNS9A
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
HGTD1N120BNS9A
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)IGBT Type: NPTVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 5.3ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 6AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1APower - Max: 60WSwitching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 14nCTd (on/off) @ 25°C: 15ns/67nsTest Condition: 960V, 1A, 82 Ohm, 15VOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Supplier Device Package: TO-252AA
Наличие и цены на HGTD1N120BNS9A на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 19:42 | парт-номерHGTD1N120BNS9A | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!