HGT1S10N120BNST
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
HGT1S10N120BNST
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)IGBT Type: NPTVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 35ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 80AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10APower - Max: 298WSwitching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 100nCTd (on/off) @ 25°C: 23ns/165nsTest Condition: 960V, 10A, 10 Ohm, 15VOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSupplier Device Package: TO-263AB
Наличие и цены на HGT1S10N120BNST на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 01:58 | парт-номерHGT1S10N120BNST | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!