FQNL1N50BBU
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
FQNL1N50BBU
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: QFET®Part Status: ObsoletePackaging: BulkFET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 500VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 135mA, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 10VVgs (Max): ±30VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25VPower Dissipation (Max): 1.5W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: TO-92-3Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Наличие и цены на FQNL1N50BBU на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 14:27 | парт-номерFQNL1N50BBU | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!