FJA3835TU
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
FJA3835TU
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: TubeTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 8AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3ACurrent - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 4VPower - Max: 80WFrequency - Transition: 30MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-3P-3, SC-65-3Supplier Device Package: TO-3P
Наличие и цены на FJA3835TU на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 22:25 | парт-номерFJA3835TU | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!