FGB40N60SM
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
FGB40N60SM
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)IGBT Type: Field StopVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600VCurrent - Collector (Ic) (Max): 80ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 120AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40APower - Max: 349WSwitching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 119nCTd (on/off) @ 25°C: 12ns/92nsTest Condition: 400V, 40A, 6 Ohm, 15VOperating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSupplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Наличие и цены на FGB40N60SM на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 13:24 | парт-номерFGB40N60SM | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!