FGA25N120ANTDTU
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
FGA25N120ANTDTU
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
IGBT+D 1200V, 25A, 312W, Tf<150nS
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeIGBT Type: NPT and TrenchVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 50ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 90AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50APower - Max: 312WSwitching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 200nCTd (on/off) @ 25°C: 50ns/190nsTest Condition: 600V, 25A, 10 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr): 350nsOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-3P-3, SC-65-3Supplier Device Package: TO-3P
Наличие и цены на FGA25N120ANTDTU на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 22:58 | парт-номерFGA25N120ANTDTU | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!