FDMS3660S
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
FDMS3660S
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56 Lead Free
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: PowerTrench®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: 2 N-Channel (Dual) AsymmetricalFET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30ARds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15VPower - Max: 1WOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 8-PowerTDFNSupplier Device Package: Power56
Наличие и цены на FDMS3660S на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 03:02 | парт-номерFDMS3660S | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!