FDC6318P
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
FDC6318P
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
MOSFET
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: PowerTrench®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: 2 P-Channel (Dual)FET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 12VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5ARds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5VVgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6VPower - Max: 700mWOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Наличие и цены на FDC6318P на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 14:28 | парт-номерFDC6318P | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!