FDB8880
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
FDB8880
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
-
Параметры
Series: PowerTrench®Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 40A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 15VPower Dissipation (Max): 55W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: TO-263ABPackage / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Наличие и цены на FDB8880 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 23:39 | парт-номерFDB8880 | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!