EMH2412-TL-H
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
EMH2412-TL-H
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: 2 N-Channel (Dual)FET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 24VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6ARds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3A, 4.5VGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5VPower - Max: 1.4WOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 8-SMD, Flat LeadSupplier Device Package: 8-EMH
Наличие и цены на EMH2412-TL-H на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 05:36 | парт-номерEMH2412-TL-H | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!