EFC4619R-TR
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
EFC4619R-TR
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: 2 N-Channel (Dual)FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V DriveGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5VPower - Max: 1.6WOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 4-XFBGA, FCBGASupplier Device Package: EFCP1616-4CE-022
Наличие и цены на EFC4619R-TR на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 20:37 | парт-номерEFC4619R-TR | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!