BUV22G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BUV22G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 250V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
необходима
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85414010
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: SWITCHMODE™Part Status: ActivePackaging: TrayTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 40AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.5A, 20ACurrent - Collector Cutoff (Max): 3mADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4VPower - Max: 250WFrequency - Transition: 8MHzOperating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-204AESupplier Device Package: TO-3
Наличие и цены на BUV22G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 18:40 | парт-номерBUV22G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!