BUV20
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BUV20
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: TubeTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 50AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5A, 50ACurrent - Collector Cutoff (Max): 3mADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 25A, 2VPower - Max: 250WFrequency - Transition: 8MHzOperating Temperature: 200°C (TJ)Mounting Type: Chassis MountPackage / Case: TO-204AA, TO-3Supplier Device Package: TO-3
Наличие и цены на BUV20 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 22:09 | парт-номерBUV20 | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!