BSR58LT1G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BSR58LT1G
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelVoltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40VCurrent - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15VVoltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800mV @ 1µAResistance - RDS(On): 60 OhmsPower - Max: 350mWOperating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Наличие и цены на BSR58LT1G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 23:47 | парт-номерBSR58LT1G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!