2SK3666-3-TB-E
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2SK3666-3-TB-E
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelDrain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10VCurrent Drain (Id) - Max: 10mAVoltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10VResistance - RDS(On): 200 OhmsPower - Max: 200mWOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Supplier Device Package: 3-CP
Наличие и цены на 2SK3666-3-TB-E на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 13:32 | парт-номер2SK3666-3-TB-E | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!