2SC5658M3T5G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2SC5658M3T5G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 100mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mACurrent - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6VPower - Max: 260mWFrequency - Transition: 180MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SOT-723Supplier Device Package: SOT-723
Наличие и цены на 2SC5658M3T5G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 22:10 | парт-номер2SC5658M3T5G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!