2SC5227A-4-TB-E
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2SC5227A-4-TB-E
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF
- Техническая документация
-
Описание
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
-
Ограничения
Деталь снята с производства.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10VFrequency - Transition: 7GHzNoise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHzGain: 12dBPower - Max: 200mWDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5VCurrent - Collector (Ic) (Max): 70mAOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Supplier Device Package: 3-CP
Наличие и цены на 2SC5227A-4-TB-E на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 01:32 | парт-номер2SC5227A-4-TB-E | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!