2SC3649T-TD-E
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2SC3649T-TD-E
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 1.5AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mACurrent - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5VPower - Max: 500mWFrequency - Transition: 120MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-243AASupplier Device Package: PCP
Наличие и цены на 2SC3649T-TD-E на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 12:50 | парт-номер2SC3649T-TD-E | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!