2SA2125-TD-E
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2SA2125-TD-E
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 3AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2ACurrent - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2VPower - Max: 3.5WFrequency - Transition: 390MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-243AASupplier Device Package: PCP
Наличие и цены на 2SA2125-TD-E на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 13:01 | парт-номер2SA2125-TD-E | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!