2SA2039-E
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2SA2039-E
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT PNP 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
-
Ограничения
Деталь снята с производства.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: BulkTransistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 5AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2ACurrent - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2VPower - Max: 800mWFrequency - Transition: 360MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASupplier Device Package: TP
Наличие и цены на 2SA2039-E на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 01:37 | парт-номер2SA2039-E | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!