2N5885G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2N5885G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TrayTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 25AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25ACurrent - Collector Cutoff (Max): 2mADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4VPower - Max: 200WFrequency - Transition: 4MHzOperating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-204AA, TO-3Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Наличие и цены на 2N5885G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 05:27 | парт-номер2N5885G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!