2N5460G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2N5460G
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
JFETs 40V 10mA
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkFET Type: P-ChannelVoltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40VCurrent - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15VVoltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15VPower - Max: 350mWOperating Temperature: -65°C ~ 135°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Supplier Device Package: TO-92-3
Наличие и цены на 2N5460G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 23:35 | парт-номер2N5460G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!