2N3417
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2N3417
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
NPN Silicon Transistor
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
8541210000
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 500mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5VPower - Max: 625mWOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Supplier Device Package: TO-92-3
Наличие и цены на 2N3417 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 12:26 | парт-номер2N3417 | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!