2N3013
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2N3013
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 200mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mACurrent - Collector Cutoff (Max): 300nADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mVPower - Max: 360mWFrequency - Transition: 350MHzMounting Type: Through HolePackage / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal CanSupplier Device Package: TO-18
Наличие и цены на 2N3013 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 11:45 | парт-номер2N3013 | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 100 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!