BU508AF
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BU508AF
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Bipolar transistor, NPN, 700 V, 8 A, 34 W
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 8AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5ACurrent - Collector Cutoff (Max): 200µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5VPower - Max: 50WOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: ISOWATT218FXSupplier Device Package: ISOWATT-218FX
Наличие и цены на BU508AF на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 22:49 | парт-номерBU508AF | брендNXP Semiconductors | доступно0 шт. под заказ мин: 3 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!