BFG591,115
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BFG591,115
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15VFrequency - Transition: 7GHzPower - Max: 2WDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8VCurrent - Collector (Ic) (Max): 200mAOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-261-4, TO-261AASupplier Device Package: SOT-223
Наличие и цены на BFG591,115 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 13:02 | парт-номерBFG591,115 | брендNXP Semiconductors | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!