BFG520W/X,115
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BFG520W/X,115
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15VFrequency - Transition: 9GHzNoise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHzPower - Max: 500mWDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6VCurrent - Collector (Ic) (Max): 70mAOperating Temperature: 175°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SOT-343 Reverse PinningSupplier Device Package: 4-SO
Наличие и цены на BFG520W/X,115 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 10:33 | парт-номерBFG520W/X,115 | брендNXP Semiconductors | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!