JANS2N3637UB
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
JANS2N3637UB
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT PNP 175V 1A 500mW 4-Pin Case UB
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: Military, MIL-PRF-19500/357Part Status: ActivePackaging: BulkTransistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 1AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mACurrent - Collector Cutoff (Max): 10µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10VPower - Max: 1.5WOperating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 3-SMD, No LeadSupplier Device Package: UB
Наличие и цены на JANS2N3637UB на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 20:51 | парт-номерJANS2N3637UB | брендMicrosemi | доступно0 шт. под заказ мин: 50 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!