APTM10HM05FG
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
APTM10HM05FG
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: BulkFET Type: 4 N-Channel (H-Bridge)FET Feature: StandardDrain to Source Voltage (Vdss): 100VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278ARds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25VPower - Max: 780WOperating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Chassis MountPackage / Case: SP6Supplier Device Package: SP6
Наличие и цены на APTM10HM05FG на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 10:48 | парт-номерAPTM10HM05FG | брендMicrosemi | доступно0 шт. под заказ мин: 4 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!