APT75GP120JDQ3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
APT75GP120JDQ3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Модули
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: POWER MOS 7®Part Status: ActiveIGBT Type: PTConfiguration: SingleVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 128APower - Max: 543WVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75ACurrent - Collector Cutoff (Max): 1.25mAInput Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04nF @ 25VInput: StandardNTC Thermistor: NoOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Chassis MountPackage / Case: ISOTOPSupplier Device Package: ISOTOP®
Наличие и цены на APT75GP120JDQ3 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 10:25 | парт-номерAPT75GP120JDQ3 | брендMicrosemi | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!