APT68GA60B
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
APT68GA60B
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: POWER MOS 8™Part Status: ActivePackaging: TubeIGBT Type: PTVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600VCurrent - Collector (Ic) (Max): 121ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 202AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40APower - Max: 520WSwitching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 298nCTd (on/off) @ 25°C: 21ns/133nsTest Condition: 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15VOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247 [B]
Наличие и цены на APT68GA60B на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 09:20 | парт-номерAPT68GA60B | брендMicrosemi Corporation | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!