APT35GP120JDQ2
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
APT35GP120JDQ2
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Модули
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: POWER MOS 7®Part Status: ActiveIGBT Type: PTConfiguration: SingleVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 64APower - Max: 284WVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35ACurrent - Collector Cutoff (Max): 350µAInput Capacitance (Cies) @ Vce: 3.24nF @ 25VInput: StandardNTC Thermistor: NoOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Chassis MountPackage / Case: ISOTOPSupplier Device Package: ISOTOP®
Наличие и цены на APT35GP120JDQ2 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 06:26 | парт-номерAPT35GP120JDQ2 | брендMicrosemi Corporation | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!