1N3309RB
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
1N3309RB
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Диоды - стабилитроны - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: BulkVoltage - Zener (Nom) (Vz): 10VTolerance: ±5%Power - Max: 50WImpedance (Max) (Zzt): 0.6 OhmsCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 6.7VVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10AOperating Temperature: -65°C ~ 175°CMounting Type: Chassis, Stud MountPackage / Case: DO-203AB, DO-5, StudSupplier Device Package: DO-5
Наличие и цены на 1N3309RB на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 20:13 | парт-номер1N3309RB | брендMicrosemi Corporation | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!