MT29F4G08ABBEAH4:E
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MT29F4G08ABBEAH4:E
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkMemory Type: Non-VolatileMemory Format: FLASHTechnology: FLASH - NANDMemory Size: 4Gb (512M x 8)Memory Interface: ParallelVoltage - Supply: 1.7V ~ 1.95VOperating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 63-VFBGASupplier Device Package: 63-VFBGA (9x11)
Наличие и цены на MT29F4G08ABBEAH4:E на стоках в России, США, Европы и Азии
Если вы когда-либо уже обращались в Т-Компонент, но не проходили регистрацию на сайте или потеряли данные для входа на сайт, вы можете воспользоваться входом по ИНН вашей компании и мы пришлём вам на почту ссылку для входа на сайт.
Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 14.08.2025 09:01 для просмотра необходимо авторизоваться | парт-номерxxxxxxxxxxxxxxxxxx | брендMicron Technology | доступноx шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!