TC8020K6-G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
TC8020K6-G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 56-Pin QFN EP Tray
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TrayFET Type: 6 N and 6 P-ChannelFET Feature: StandardDrain to Source Voltage (Vdss): 200VRds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25VOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 56-VFQFN Exposed PadSupplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Наличие и цены на TC8020K6-G на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 03.07.2025 18:20 | парт-номерTC8020K6-G | брендMicrochip Technology | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!