IRG4PH30KD
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IRG4PH30KD
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 20ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 40AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10APower - Max: 100WSwitching Energy: 950µJ (on), 1.15mJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 53nCTd (on/off) @ 25°C: 39ns/220nsTest Condition: 800V, 10A, 23 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr): 50nsOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247AC
Наличие и цены на IRG4PH30KD на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 29.06.2025 15:23 | парт-номерIRG4PH30KD | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!